Characterization and modeling of high total ionizing dose effects and low frequency noise in standard CMOS technologyCharacterization and modeling of high total ionizing dose effects and low frequency noise in standard CMOS technologyΧαρακτηρισμός και μοντελοποίηση φαινομένων ακτινοβολίας και θορύβου χαμηλής συχνότητας σε συμβατική τεχνολογία CMOS Μεταπτυχιακή Διατριβή Master Thesis 2018-06-292018enhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών ΥπολογιστώνNikolaou_Aristeidis_MSc_2018.pdfChania [Greece]Library of TUC2018-06-29application/pdf22.1 MBembargo Nikolaou Aristeidis Νικολαου Αριστειδης Bucher Matthias Bucher Matthias Balas Costas Μπαλας Κωστας Kalaitzakis Konstantinos Καλαϊτζακης Κωνσταντινος Πολυτεχνείο Κρήτης Technical University of Crete High TID effects on CMOS