Το έργο με τίτλο Χαρακτηρισμός και συμπαγής μοντελοποίηση θορύβου χαμηλής συχνότητας και φαινομένων ιοντίζουσας ακτινοβολίας σε MOSFET με βάση το πυρίτιο από τον/τους δημιουργό/ούς Chevas Loukas διατίθεται με την άδεια Creative Commons Αναφορά Δημιουργού 4.0 Διεθνές
Βιβλιογραφική Αναφορά
Λουκάς Χέβας, "Χαρακτηρισμός και συμπαγής μοντελοποίηση θορύβου χαμηλής συχνότητας και φαινομένων ιοντίζουσας ακτινοβολίας σε MOSFET με βάση το πυρίτιο", Μεταπτυχιακή Διατριβή, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2021
https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.89855
Δύο διαφορετικά πεδία εφαρμογών των ημιαγωγών, με τις ιδιαίτερα ξεχωριστές τους προκλήσεις, είναι το πεδίο πειραμάτων φυσικής υψηλών ενεργειών, ως ένα πολύ εχθρικό περιβάλλον λειτουργίας για τρανζίστορ MOSFET υπο-μικρομετρικών διαστάσεων και το πεδίο της αναλογικής σχεδίασης υψηλής ακριβείας και χαμηλού θορύβου με τις απαιτήσεις του για λεπτομερή και ακριβή μοντέλα θορύβου για τρανζίστορ MOSFET.Παρουσιάζεται ανάλυση πάνω σε διατάξεις MOS που ακτινοβολήθηκαν σε υπερ-υψηλές δόσεις ακτινοβολίας, ως μέρος της μελέτης καταλληλότητας που διεξήχθη στο CERN σε συνεργασία με το Πολυτεχνείο της Κρήτης για την επερχόμενη αναβάθμιση του LHC κατά τα έτη 2025-2027. Δική μας εργασία ήταν το να αναλύσουμε, χαρακτηρίσουμε και μοντελοποιήσουμε τη ζημία που επέρχεται σε μια συγκεκριμένη εμπορικά διαθέσιμη τεχνολογία 65nm bulk CMOS, ώστε να επιτραπεί στους σχεδιαστές στο CERN να την αξιοποιήσουν κατάλληλα για όλη τη δεκαετή προβλεπόμενη διάρκεια του πειράματος. Προς το σκοπό αυτό παρουσιάσαμε σε αυτή την εργασία συγκεκριμένες λειτουργικές παραμέτρους που ενδιαφέρουν τους σχεδιαστές, οι οποίες εξήχθησαν για τις δύο πολικότητες MOS, τους τύπους διατάξεων διαφορετικής τάσης κατωφλίου, σε τρεις διαφορετικές θερμοκρασίες, έως και -30°C, σε τέσσερα διαφορετικά επίπεδα δόσης, έως και 500Mrad. Πολλές διαφορετικές γεωμετρίες μελετήθηκαν και παρουσιάζονται.Επιπρόσθετα, επιδεικνύεται η μέτρηση και ανάλυση της απόκρισης θορύβου μιας εμπορικά διαθέσιμης τεχνολογίας 110nm bulk CMOS. Παρουσιάζεται το σύστημα και η μεθοδολογία για την διεξαγωγή μετρήσεων θορύβου πάνω σε δισκία πυριτίου, μαζί με τη διαδικασία που ακολουθήσαμε για να εξαγάγουμε αξιοποιήσιμα δεδομένα από τις μετρήσεις μας καθώς και να τα αναλύσουμε. Περιγράφεται επίσης η προσέγγιση του ζητήματος εξαγωγής παραμέτρων μοντέλου EKV3, με τα δύο διαφορετικά ενσωματωμένα μοντέλα θορύβου. Οι μετρήσεις θορύβου παρουσιάζονται για τις τρεις πολικότητες που είχαμε διαθέσιμες για αυτόν το σκοπό. Παρουσιάζονται φάσματα θορύβου αναφερόμενου στην έξοδο καθώς και στην είσοδο, στα οποία έχει εφαρμοστεί ένα αναλυτικό μοντέλο θορύβου χαμηλής συχνότητας.