Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Σχεδίαση ενισχυτών διαγωγιμότητας χαμηλής κατανάλωσης για υψηλά επίπεδα ιονίζουσας ακτινοβολίας και θέματα υλοποίησης εξειδικευμένου 65nm CMOS τεχνολογίας Κιτ σχεδίασης

Papadopoulou Alexia

Πλήρης Εγγραφή

---

Περίληψη

Μικροηλεκτρονικά συστήματα που χρησιμοποιούνται σε αεροδιαστημικές, στρατιωτικές, πυρηνικής φυσικής και εφαρμογές βιοϊατρικής πρέπει να έχουν την δυνατότητα να αντέξουν τις συνέπειες της υψηλής ιονίζουσας ακτινοβολίας. Η στροφή στη χρήση εμπορικά διαθέσιμων CMOS processes για τέτοιου είδους εφαρμογές οφείλεται στη συνεχή ζήτηση για συστήματα υψηλών επιδόσεων και τη διαθεσιμότητα εξελιγμένων CMOS τεχνολογιών. Στα πειράματα υψηλών ενεργειών, όπως το High-Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) του CERN, όπου μέρη των συστημάτων του, όπως οι ανιχνευτές σωματιδίων, κατασκευάζονται με bulk CMOS τεχνολογίες, αναμένονται εξαιρετικά υψηλά επίπεδα Total Ionizing Dose (TID) (έως 1 Grad(SiO2)). Συνεπώς, μεγάλο ενδιαφέρον παρουσιάζει ο αντίκτυπος των υψηλών TID στην απόδοση των CMOS διατάξεων. Σε αυτή την εργασία παρουσιάζεται η ενσωμάτωση ενός εξειδικευμένου 65 nm CMOS TID-Process Design Kit που αναπτύχθηκε για το CERN για να καλύπτει πειράματα σε 100, 200 and 500 Mrad(SiO2) και θερμοκρασίες -30°C, 0°C and 25°C για standard-layout και Enclosed-Gate MOSTs. Ο σκοπός της εργασίας είναι να μελετηθεί η επίδραση των υψηλών TID στην χαμηλής ισχύος αναλογική CMOS σχεδίαση όπως επίσης και την αποτελεσματικότητα των τεχνικών βασισμένων στα επίπεδα αναστροφής για radiation hardened σχεδίαση. Για το σκοπό αυτό, σχεδιάστηκαν δύο ενισχυτές διαγωγιμότητας (OTAs) και επιλέχθηκαν συγκεκριμένα κριτήρια, όπως gain bandwidth (GBW), phase margin (PM), slew rate (SR) και power dissipation (PD)) για την αξιολόγηση της απόδοσης τους.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες