Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Αναλυτική μέθοδος προσδιορισμού παραμέτρων και εφαρμογή σε προχωρημένη τεχνολογία CMOS

Antonakakis Antonios

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/B5CBFC4B-BBD5-413C-92F7-C65A02FF2987-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.89090-
Γλώσσαel-
Μέγεθος2.7 megabytesen
Μέγεθος69 σελίδεςel
ΤίτλοςΑναλυτική μέθοδος προσδιορισμού παραμέτρων και εφαρμογή σε προχωρημένη τεχνολογία CMOSel
ΤίτλοςAnalytical method of parameter determination and application to advanced CMOS technologyen
ΔημιουργόςAntonakakis Antoniosen
ΔημιουργόςΑντωνακακης Αντωνιοςel
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasen
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Kalaitzakis Konstantinosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Καλαϊτζακης Κωνσταντινοςel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Kanellos Fotiosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Κανελλος Φωτιοςel
ΕκδότηςΠολυτεχνείο Κρήτηςel
ΕκδότηςTechnical University of Creteen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαTechnical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineeringen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
ΠερίληψηΣτην παρούσα Διπλωματική Εργασία μελετούνται οι αναλυτικές μέθοδοι συμπαγούς μοντελοποίησης τρανζίστορ πυριτίου τύπου MOSFET μονής πύλης, καθώς και αναλυτικές μέθοδοι προσδιορισμού των παραμέτρων των μοντέλων αυτών σε προχωρημένη CMOS τεχνολογία. Η διαδικασία αυτή βασίζεται σε πειραματικές μετρήσεις που έγιναν στο Εργαστήριο Ηλεκτρονικής, σε δείγματα τριών διαφορετικών γενιών τεχνολογίας CMOS 110nm, 250nm και 1um και συμπεριλαμβάνει τρανζίστορ, τόσο τύπου ΝΜΟS, όσο και τύπου PMOS, με ιδιαίτερη έμφαση στην κάλυψη μήκους καναλιού (long, medium, short). Επιπλέον, μελετάται η απόδοση των τεχνολογιών με ενιαίο τρόπο χρησιμοποιώντας τεχνικές κανονικοποίησης των μεγεθών (ρεύμα, αγωγιμότητα), ώστε η επίδραση διαφορετικού μήκους καναλιού, να είναι εύκολα αντιληπτή. Το φαινόμενο του κορεσμού ταχύτητας (velocity saturation) έχει μια ιδιαίτερη σημασία στην παραπάνω επίδραση. Εφαρμόζονται μέθοδοι εξαγωγής παραμέτρων για κάθε τεχνολογία και κάθε μήκος καναλιού, και παρουσιάζονται με την μορφή πινάκων, με στόχο την συμπαγή μοντελοποίηση. Τέλος, υλοποιείται το μοντέλο των φορτίων του τρανζίστορ MOS με το φαινόμενο velocity saturation και παρουσιάζονται τα διαγράμματα του μοντέλου σε αντιπαράθεση με τα δεδομένα μας.el
ΠερίληψηIn this Thesis we’re studying the analytical methods of compact modeling of single-gate silicon MOSFETs, as well as the analytical methods for determining the parameters of these models at advanced CMOS technology. This process is based on experimental measurements made in the Electronics Laboratory on samples of three different generations of CMOS technology 110nm, 250nm and 1um and includes transistors of both NMOS and PMOS type, with particular emphasis on channel length coverage (long, medium, short). We’re also studying the performance of technologies in a unified way, while using size normalization techniques (current, conductivity), so that the effect of different channel lengths is easily perceived. The phenomenon of velocity saturation has a special significance in this comparison. Parameter extraction methods are also applied. These methods apply in the same way to each technology and each channel length and are presented in the form of tables, with the aim of compact modeling. Finally, the charge-based model of the MOS transistor with the velocity saturation phenomenon is implemented and the diagrams are presented in contrast to our data.en
ΤύποςΔιπλωματική Εργασίαel
ΤύποςDiploma Worken
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2021-05-17-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2021-
Θεματική ΚατηγορίαAnalog IC designen
Θεματική ΚατηγορίαAnalytical method of parameter determinationen
Θεματική ΚατηγορίαCMOS technologyen
Βιβλιογραφική ΑναφοράΑντώνιος Αντωνακάκης, "Αναλυτική μέθοδος προσδιορισμού παραμέτρων και εφαρμογή σε προχωρημένη τεχνολογία CMOS", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2021el
Βιβλιογραφική ΑναφοράAntonios Antonakakis, "Analytical method of parameter determination and application to advanced CMOS technology", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2021en

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά