Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Αναλυτική μέθοδος προσδιορισμού παραμέτρων και εφαρμογή σε προχωρημένη τεχνολογία CMOS

Antonakakis Antonios

Πλήρης Εγγραφή

---

Περίληψη

Στην παρούσα Διπλωματική Εργασία μελετούνται οι αναλυτικές μέθοδοι συμπαγούς μοντελοποίησης τρανζίστορ πυριτίου τύπου MOSFET μονής πύλης, καθώς και αναλυτικές μέθοδοι προσδιορισμού των παραμέτρων των μοντέλων αυτών σε προχωρημένη CMOS τεχνολογία. Η διαδικασία αυτή βασίζεται σε πειραματικές μετρήσεις που έγιναν στο Εργαστήριο Ηλεκτρονικής, σε δείγματα τριών διαφορετικών γενιών τεχνολογίας CMOS 110nm, 250nm και 1um και συμπεριλαμβάνει τρανζίστορ, τόσο τύπου ΝΜΟS, όσο και τύπου PMOS, με ιδιαίτερη έμφαση στην κάλυψη μήκους καναλιού (long, medium, short). Επιπλέον, μελετάται η απόδοση των τεχνολογιών με ενιαίο τρόπο χρησιμοποιώντας τεχνικές κανονικοποίησης των μεγεθών (ρεύμα, αγωγιμότητα), ώστε η επίδραση διαφορετικού μήκους καναλιού, να είναι εύκολα αντιληπτή. Το φαινόμενο του κορεσμού ταχύτητας (velocity saturation) έχει μια ιδιαίτερη σημασία στην παραπάνω επίδραση. Εφαρμόζονται μέθοδοι εξαγωγής παραμέτρων για κάθε τεχνολογία και κάθε μήκος καναλιού, και παρουσιάζονται με την μορφή πινάκων, με στόχο την συμπαγή μοντελοποίηση. Τέλος, υλοποιείται το μοντέλο των φορτίων του τρανζίστορ MOS με το φαινόμενο velocity saturation και παρουσιάζονται τα διαγράμματα του μοντέλου σε αντιπαράθεση με τα δεδομένα μας.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες