![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8F1E4B59-F111-4EAD-AF60-E7B3B77159FA | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/TED.2020.3025841 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9215023 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 4 pages | en |
| Τίτλος | Free carrier mobility, series resistance, and threshold voltage extraction in junction FETs | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Δημιουργός | Jazaeri Farzan | en |
| Δημιουργός | Sallese Jean-Michel | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | In this brief, extraction methods are proposed for determining the essential parameters of double gate junction field-effect transistors (FETs). First, a novel method for determining free carrier effective mobility, similar to a recently proposed method for MOSFETs, is developed. The same method is then extended to cover also the case when series resistance is present, while series resistance itself may be determined from the measurement from two FETs with different channel lengths. The key technological and design parameter is the threshold voltage, which may be unambiguously determined from the transconductance-to-current ratio with a constant-current method. The new methods are shown to be effective over a wide range of technical parameters, using technology computer-aided design simulations. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2021-04-09 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2020 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Compact modeling | en |
| Θεματική Κατηγορία | Depletion | en |
| Θεματική Κατηγορία | Field-effect transistor (FET) | en |
| Θεματική Κατηγορία | Junction FET (JFET) | en |
| Θεματική Κατηγορία | Junctionless FET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Mobility | en |
| Θεματική Κατηγορία | Series resistance | en |
| Θεματική Κατηγορία | Threshold voltage | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Makris, M. Bucher, L. Chevas, F. Jazaeri and J.-M. Sallese, “Free carrier mobility, series resistance, and threshold voltage extraction in junction FETs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 67, no. 11, pp. 4658–4661, Nov. 2020. doi: 10.1109/TED.2020.3025841 | en |
Copyright © DIAS 2013
