Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Generalized constant current method for determining MOSFET threshold voltage

Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Chevas Loukas

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/576B5055-1E83-4A88-8EDD-B5F1FB6B3BA9-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/TED.2020.3019019-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9187566-
Γλώσσαen-
Μέγεθος4 pagesen
Μέγεθος4,17 megabytesen
ΤίτλοςGeneralized constant current method for determining MOSFET threshold voltageen
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠεριγραφήThis work was supported in part by the Project INNOVATION-EL-Crete under Grant MIS 5002772.el
ΠεριγραφήΑυτό το έργο χρηματοδοτήθηκε εν μέρει στα πλαίσια του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Ανταγωνιστικότητα Επιχειρηματικότητα και Καινοτομία» Πράξη "Εθνική Υποδομή Νανοτεχνολογίας, Προηγμένων Υλικών και Μικρο-/Νανοηλεκτρονικής" - INNOVATION-EL-Crete με αριθμό MIS 5002772.el
ΠερίληψηA novel method for extracting threshold voltage and substrate effect parameters of MOSFETs with constant current bias at all levels of inversion is presented. This generalized constant-current (GCC) method exploits the charge-based model of MOSFETs to extract threshold voltage and other substrate-effect-related parameters. The method is applicable over a wide range of current throughout weak and moderate inversion, and to some extent in strong inversion. This method is particularly useful when applied for MOSFETs presenting edge conduction effect (subthreshold hump) in CMOS processes using shallow trench isolation (STI).en
ΤύποςPeer-Reviewed Journal Publicationen
ΤύποςΔημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτέςel
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2021-04-08-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2020-
Θεματική ΚατηγορίαCharge-based modelen
Θεματική ΚατηγορίαConstant current (CC) methoden
Θεματική ΚατηγορίαEdge conductionen
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαParameter extractionen
Θεματική ΚατηγορίαThreshold voltageen
Θεματική ΚατηγορίαTransconductance-to-current ratioen
Βιβλιογραφική ΑναφοράM. Bucher, N. Makris and L. Chevas, “Generalized constant current method for determining MOSFET threshold voltage”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 67, no. 11, pp. 4559–4562, Nov. 2020. doi: 10.1109/TED.2020.3019019en

Υπηρεσίες

Στατιστικά