![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/576B5055-1E83-4A88-8EDD-B5F1FB6B3BA9 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/TED.2020.3019019 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/9187566 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 4 pages | en |
| Μέγεθος | 4,17 megabytes | en |
| Τίτλος | Generalized constant current method for determining MOSFET threshold voltage | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περιγραφή | This work was supported in part by the Project INNOVATION-EL-Crete under Grant MIS 5002772. | el |
| Περιγραφή | Αυτό το έργο χρηματοδοτήθηκε εν μέρει στα πλαίσια του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Ανταγωνιστικότητα Επιχειρηματικότητα και Καινοτομία» Πράξη "Εθνική Υποδομή Νανοτεχνολογίας, Προηγμένων Υλικών και Μικρο-/Νανοηλεκτρονικής" - INNOVATION-EL-Crete με αριθμό MIS 5002772. | el |
| Περίληψη | A novel method for extracting threshold voltage and substrate effect parameters of MOSFETs with constant current bias at all levels of inversion is presented. This generalized constant-current (GCC) method exploits the charge-based model of MOSFETs to extract threshold voltage and other substrate-effect-related parameters. The method is applicable over a wide range of current throughout weak and moderate inversion, and to some extent in strong inversion. This method is particularly useful when applied for MOSFETs presenting edge conduction effect (subthreshold hump) in CMOS processes using shallow trench isolation (STI). | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2021-04-08 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2020 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Charge-based model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Constant current (CC) method | en |
| Θεματική Κατηγορία | Edge conduction | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Parameter extraction | en |
| Θεματική Κατηγορία | Threshold voltage | en |
| Θεματική Κατηγορία | Transconductance-to-current ratio | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | M. Bucher, N. Makris and L. Chevas, “Generalized constant current method for determining MOSFET threshold voltage”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 67, no. 11, pp. 4559–4562, Nov. 2020. doi: 10.1109/TED.2020.3019019 | en |
Copyright © DIAS 2013
