![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/D7AA08D3-1073-4395-B202-EA4ECB7A1235 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/JEDS.2019.2944817 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8854243 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 9 pages | en |
| Τίτλος | CJM: a compact model for double-gate junction FETs | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Jazaeri, Farzan 1984- | en |
| Δημιουργός | Sallese, Jean-Michel 1964- | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | The double-gate (DG) junction field-effect transistor (JFET) is a classical electron device, with a simple structure that presents many advantages in terms of device fabrication but also its principle of operation. The device has been largely used in low-noise applications, but also more recently, in power electronics. Furthermore, co-integration of JFET with CMOS technology is attractive. Physics-based compact models for JFETs are however scarce. In this paper, an analytical, charge-based model is established for the mobile charges, drain current, transconductances and transcapacitances of symmetric DG JFETs, covering all regions of device operation, continuously from subthreshold to linear and saturation operation. This charge-based JFET model (called CJM) constitutes the basis of a full compact model of the DG JFET for analog, RF, and digital circuit simulation. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2020-10-29 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2019 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Charge-based model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Circuit simulation | en |
| Θεματική Κατηγορία | CJM model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Compact model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Depletion mode | en |
| Θεματική Κατηγορία | Double gate | en |
| Θεματική Κατηγορία | High frequency | en |
| Θεματική Κατηγορία | JFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Junction field effect transistor | en |
| Θεματική Κατηγορία | Low noise | en |
| Θεματική Κατηγορία | Verilog-A | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Makris, M. Bucher, F. Jazaeri and J.-M. Sallese, "CJM: a compact model for double-gate junction FETs," IEEE J. Electron Devices Soc., vol. 7, pp. 1191-1199, Oct. 2019. doi: 10.1109/JEDS.2019.2944817 | en |
Copyright © DIAS 2013
