Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Compact modeling of SIC and gan junction FETS at high temperature

Makris Nikolaos, Zekentes, Konstantinos, Bucher Matthias

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/F5C955D4-9356-4680-A972-99DE10D0ECC9-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.683-
Αναγνωριστικόhttps://www.scientific.net/MSF.963.683-
Γλώσσαen-
Μέγεθος5 pagesen
ΤίτλοςCompact modeling of SIC and gan junction FETS at high temperatureen
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςZekentes, Konstantinosen
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΕκδότηςTrans Tech Publicationsen
ΠερίληψηHigh temperatures and other harsh environments are domains of predilection for Junction FETs, particularly when wide band-gap semiconductors such as SiC or GaN are used. The present work describes the new compact model of double-gate (DG) JFETs which is compared to TCAD simulations of SiC and GaN JFETs over a wide temperature range up to 500ºC. The compact model is shown to be predictive of device behavior, for static (current-voltage) as well as dynamic (capacitance-voltage) behavior of long-channel DG JFETs.en
ΤύποςPeer-Reviewed Journal Publicationen
ΤύποςΔημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτέςel
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2020-10-27-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2019-
Θεματική ΚατηγορίαCapacitancesen
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelen
Θεματική ΚατηγορίαGallium Nitrideen
Θεματική ΚατηγορίαHigh temperatureen
Θεματική ΚατηγορίαJFETen
Θεματική ΚατηγορίαJunction FETen
Θεματική ΚατηγορίαOn resistanceen
Θεματική ΚατηγορίαParameter extractionen
Θεματική ΚατηγορίαSilicon Carbideen
Θεματική ΚατηγορίαWide-bandgapen
Βιβλιογραφική ΑναφοράN. Makris, K. Zekentes and M. Bucher, “Compact modeling of SiC and GaN junction FETs at high temperature,” Mater. Sci. Forum, vol. 963, pp. 683–687, Jul. 2019. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.683en

Υπηρεσίες

Στατιστικά