![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/F5C955D4-9356-4680-A972-99DE10D0ECC9 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.683 | - |
| Αναγνωριστικό | https://www.scientific.net/MSF.963.683 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 5 pages | en |
| Τίτλος | Compact modeling of SIC and gan junction FETS at high temperature | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Zekentes, Konstantinos | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Εκδότης | Trans Tech Publications | en |
| Περίληψη | High temperatures and other harsh environments are domains of predilection for Junction FETs, particularly when wide band-gap semiconductors such as SiC or GaN are used. The present work describes the new compact model of double-gate (DG) JFETs which is compared to TCAD simulations of SiC and GaN JFETs over a wide temperature range up to 500ºC. The compact model is shown to be predictive of device behavior, for static (current-voltage) as well as dynamic (capacitance-voltage) behavior of long-channel DG JFETs. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2020-10-27 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2019 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Capacitances | en |
| Θεματική Κατηγορία | Compact model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Gallium Nitride | en |
| Θεματική Κατηγορία | High temperature | en |
| Θεματική Κατηγορία | JFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Junction FET | en |
| Θεματική Κατηγορία | On resistance | en |
| Θεματική Κατηγορία | Parameter extraction | en |
| Θεματική Κατηγορία | Silicon Carbide | en |
| Θεματική Κατηγορία | Wide-bandgap | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Makris, K. Zekentes and M. Bucher, “Compact modeling of SiC and GaN junction FETs at high temperature,” Mater. Sci. Forum, vol. 963, pp. 683–687, Jul. 2019. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.683 | en |
Copyright © DIAS 2013
