Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Compact modeling of SIC and gan junction FETS at high temperature

Makris Nikolaos, Zekentes, Konstantinos, Bucher Matthias

Πλήρης Εγγραφή


URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/F5C955D4-9356-4680-A972-99DE10D0ECC9
Έτος 2019
Τύπος Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά N. Makris, K. Zekentes and M. Bucher, “Compact modeling of SiC and GaN junction FETs at high temperature,” Mater. Sci. Forum, vol. 963, pp. 683–687, Jul. 2019. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.683 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.683
Εμφανίζεται στις Συλλογές

Περίληψη

High temperatures and other harsh environments are domains of predilection for Junction FETs, particularly when wide band-gap semiconductors such as SiC or GaN are used. The present work describes the new compact model of double-gate (DG) JFETs which is compared to TCAD simulations of SiC and GaN JFETs over a wide temperature range up to 500ºC. The compact model is shown to be predictive of device behavior, for static (current-voltage) as well as dynamic (capacitance-voltage) behavior of long-channel DG JFETs.

Υπηρεσίες

Στατιστικά