Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Design of micropower operational transconductance amplifiers for high total ionizing dose effects

Papadopoulou Alexia, Makris Nikolaos, Chevas Loukas, Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias

Πλήρης Εγγραφή

URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/A6E0B132-D61B-47A2-AC9A-E198D4801E88
Έτος 2019
Τύπος Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά A. Papadopoulou, N. Makris, L. Chevas, A. Nikolaou and M. Bucher, "Design of micropower operational transconductance amplifiers for high total ionizing dose effects," in 8th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies, 2019. doi: 10.1109/MOCAST.2019.8742031 https://doi.org/10.1109/MOCAST.2019.8742031
Εμφανίζεται στις Συλλογές
Δημοσιεύσεις σε Συνέδρια στην Κοινότητα Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Δημοσιεύσεις σε Συνέδρια στην Κοινότητα Εργαστήριο Ηλεκτρονικής

Περίληψη

The design of radiation-hard analog/mixed signal Integrated Circuits for high Total Ionizing Dose (TID) is a challenging task. Front-end electronics for the High-Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) are expected to be exposed to doses exceeding 500 Mrad(SiO2). Using a recently developed TID-Process Design Kit (PDK) in 65 nm bulk CMOS, the present paper illustrates the design of micropower, current-mirror and folded cascode CMOS Operational Transconductance Amplifiers (OTAs) using moderate inversion techniques to favor insensitivity to high TID.

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013