![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/031B8C04-E832-4A91-A846-FCF577B29607 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.23919/MIXDES.2019.8787098 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8787098 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 4 pages | en |
| Τίτλος | Forward and reverse operation of enclosed-gate MOSFETs and sensitivity to high total ionizing dose | en |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Δημιουργός | Papadopoulou Alexia | en |
| Δημιουργός | Παπαδοπουλου Αλεξια | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Borghello Giulio | en |
| Δημιουργός | Faccio Federico | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | Frond-end electronics at the High Luminosity-Large Hadron Collider (HL-LHC) at CERN, will be exposed to ten-fold radiation doses. The use of enclosed gate (EG) MOSFETs of 65 nm Bulk CMOS process, is considered to be a viable solution in order to suppress performance degradation effects that occur after high TID exposure. The present paper presents a detailed analysis of the functionality of EG MOSFETs operating under high TID, taking into accountspecific layout characteristics. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2020-06-05 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2019 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Enclosed layout | en |
| Θεματική Κατηγορία | High energy physics | en |
| Θεματική Κατηγορία | High-Luminosity Large Hadron Collider | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFETs | en |
| Θεματική Κατηγορία | Radiation hardness | en |
| Θεματική Κατηγορία | Total ionizing dose | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | A. Nikolaou, L. Chevas, A. Papadopoulou, N. Makris, M. Bucher, G. Borghello and F. Faccio, "Forward and reverse operation of enclosed-gate MOSFETs and sensitivity to high total ionizing dose," in 26th International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems", 2019, pp. 306-309. doi: 10.23919/MIXDES.2019.8787098 | en |
Copyright © DIAS 2013
