![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/A071FC9A-AF48-4784-86E8-7AB053BAAC24 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84147 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 6.24 megabytes | en |
| Τίτλος | Design of low power operational transconductance amplifiers (OTAs) in two generations of Bulk CMOS | en |
| Τίτλος | Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (ΟΤΑ) χαμηλής κατανάλωσης σε δυο γενιές τεχνολογίας Bulk CMOS | el |
| Δημιουργός | Apostolakis Apostolos | en |
| Δημιουργός | Αποστολακης Αποστολος | el |
| Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής] | Bucher Matthias | en |
| Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής] | Bucher Matthias | el |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Balas Costas | en |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Μπαλας Κωστας | el |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Kalaitzakis Konstantinos | en |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Καλαϊτζακης Κωνσταντινος | el |
| Εκδότης | Πολυτεχνείο Κρήτης | el |
| Εκδότης | Technical University of Crete | en |
| Ακαδημαϊκή Μονάδα | Technical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineering | en |
| Ακαδημαϊκή Μονάδα | Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών | el |
| Περιγραφή | This thesis submitted in partial fulfillment of the requirements for the diploma degree of electrical and computer engineering. | en |
| Περίληψη | The continued need for accurate design methodologies mandates an ongoing research in this field. In this work, the Inversion Coefficient (IC) based methodology for low-power, low-voltage MOSFET design was explored. This methodology is based on design-oriented transistor parameter extraction, such as I0 (technology current), slope factor n, transconductance parameter KP etc. and several important performance metrics in the form of Figures-of-Merit (FoM), such as gm/ID and Av (intrinsic gain). To test the accuracy of this approach, two different operational transconductance amplifier (OTA) topologies were designed in low power mode of operation (power dissipation 24uW), a current mirror p- input, single-ended OTA and a p-input, fully differential, folded cascode (FDFC) OTA. To accentuate the prediction capability of this methodology, two process design kits (PDKs) were used; a 65nm bulk CMOS PDK and a 90nm bulk CMOS PDK. The structural design flow includes the procedure of parameter extraction for both PDKs, the mathematical analysis of each circuit, the design validation and optimization via simulation. All four designs were developed in Virtuoso ADE by Cadence and simulated using Spectre Simulation Platform. Open-Loop Gain (A0), Gain Bandwidth (GBW) , Phase Margin (PM), Slew Rate (SR), Input and Output Voltage ranges, Input referred Noise and Input DC offset were set as circuit performance criteria. Finally, comparative results between circuit topologies and technology nodes are presented and discussed. | en |
| Περίληψη | Η διαρκής ανάγκη για ακριβείς μεθοδολογίες σχεδίασης απαιτεί μια συνεχή έρευνα στον τομέα αυτό. Σε αυτή την εργασία, διερευνήθηκε η μεθοδολογία που βασίζεται στον δείκτη αναστροφής (IC) για σχεδιασμό κυκλωμάτων με MOSFET, χαμηλής ισχύος και χαμηλής τάσης. Αυτή η μεθοδολογία βασίζεται στην εξαγωγή παραμέτρων των τρανσίστορ προσανατολισμένη στη σχεδίαση, όπως το I0 (ρεύματος τεχνολογίας), τον συντελεστής κλίσης n, την παράμετρο διαγωμιμότητας KP κλπ. και αρκετές σημαντικές μετρικές απόδοσης (FoM), όπως gm/ID and Av (ενδογενές κέρδος). Για να εξεταστεί η ακρίβεια αυτής της προσέγγισης, σχεδιάστηκαν δύο διαφορετικές τοπολογίες τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (OTA) σε λειτουργία χαμηλής ισχύος (απόδοση ισχύος 24uW), έναν p-εισόδου καθρέφτη ρεύματος τελεστικό ενισχυτή διαγωγιμότητας OTA μονής εξόδου και έναν τελεστικό ενισχυτή διαφορικής εξόδου (FDFC) ΟΤΑ. Για να τονισθεί η δυνατότητα πρόβλεψης της συγκεκριμένης μεθοδολογίας, χρησιμοποιήθηκαν δύο διαφορετικά κιτ σχεδιασμού (PDKs)· ένα CMOS PDK 65nm και ένα CMOS PDK 90nm. Η διαδικασία δομικής σχεδίασης περιλαμβάνει την εξαγωγή παραμέτρων και για τα δύο PDK, τη μαθηματική ανάλυση κάθε κυκλώματος, την επαλήθευση των αποτελεσμάτων της σχεδίασης και τη βελτιστοποίηση μέσω προσομοίωσης. Και οι τέσσερις σχεδιάσεις αναπτύχθηκαν στο Virtuoso ADE από την Cadence και προσομοιώθηκαν με τη χρήση του Spectre Simulation Platform. Το κέρδος ανοικτού βρόχου (A0), το εύρος ζώνης κέρδους (GBW), το περιθώριο φάσης (PM), ο ρυθμός μετατόπισης (SR), τα εύρη τάσης εισόδου και εξόδου, καθορίστηκαν ως κριτήρια απόδοσης κυκλώματος. Τέλος, παρουσιάζονται και αναλύονται συγκριτικά αποτελέσματα μεταξύ των τοπολογιών και των διαφορετικών τεχνολογιών. | el |
| Τύπος | Διπλωματική Εργασία | el |
| Τύπος | Diploma Work | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-12-23 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2019 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Bulk CMOS | en |
| Θεματική Κατηγορία | PDK | en |
| Θεματική Κατηγορία | Οperational Τransconductance Αmplifiers (OTAs) | el |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Apostolos Apostolakis, "Design of low power operational transconductance amplifiers (OTAs) in two generations of Bulk CMOS", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019 | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Απόστολος Αποστολάκης, "Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (ΟΤΑ) χαμηλής κατανάλωσης σε δυο γενιές τεχνολογίας Bulk CMOS ", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019 | el |
Copyright © DIAS 2013
