Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (ΟΤΑ) χαμηλής κατανάλωσης σε δυο γενιές τεχνολογίας Bulk CMOS

Apostolakis Apostolos

Πλήρης Εγγραφή

---

Περίληψη

Η διαρκής ανάγκη για ακριβείς μεθοδολογίες σχεδίασης απαιτεί μια συνεχή έρευνα στον τομέα αυτό. Σε αυτή την εργασία, διερευνήθηκε η μεθοδολογία που βασίζεται στον δείκτη αναστροφής (IC) για σχεδιασμό κυκλωμάτων με MOSFET, χαμηλής ισχύος και χαμηλής τάσης. Αυτή η μεθοδολογία βασίζεται στην εξαγωγή παραμέτρων των τρανσίστορ προσανατολισμένη στη σχεδίαση, όπως το I0 (ρεύματος τεχνολογίας), τον συντελεστής κλίσης n, την παράμετρο διαγωμιμότητας KP κλπ. και αρκετές σημαντικές μετρικές απόδοσης (FoM), όπως gm/ID and Av (ενδογενές κέρδος). Για να εξεταστεί η ακρίβεια αυτής της προσέγγισης, σχεδιάστηκαν δύο διαφορετικές τοπολογίες τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (OTA) σε λειτουργία χαμηλής ισχύος (απόδοση ισχύος 24uW), έναν p-εισόδου καθρέφτη ρεύματος τελεστικό ενισχυτή διαγωγιμότητας OTA μονής εξόδου και έναν τελεστικό ενισχυτή διαφορικής εξόδου (FDFC) ΟΤΑ. Για να τονισθεί η δυνατότητα πρόβλεψης της συγκεκριμένης μεθοδολογίας, χρησιμοποιήθηκαν δύο διαφορετικά κιτ σχεδιασμού (PDKs)· ένα CMOS PDK 65nm και ένα CMOS PDK 90nm. Η διαδικασία δομικής σχεδίασης περιλαμβάνει την εξαγωγή παραμέτρων και για τα δύο PDK, τη μαθηματική ανάλυση κάθε κυκλώματος, την επαλήθευση των αποτελεσμάτων της σχεδίασης και τη βελτιστοποίηση μέσω προσομοίωσης. Και οι τέσσερις σχεδιάσεις αναπτύχθηκαν στο Virtuoso ADE από την Cadence και προσομοιώθηκαν με τη χρήση του Spectre Simulation Platform. Το κέρδος ανοικτού βρόχου (A0), το εύρος ζώνης κέρδους (GBW), το περιθώριο φάσης (PM), ο ρυθμός μετατόπισης (SR), τα εύρη τάσης εισόδου και εξόδου, καθορίστηκαν ως κριτήρια απόδοσης κυκλώματος. Τέλος, παρουσιάζονται και αναλύονται συγκριτικά αποτελέσματα μεταξύ των τοπολογιών και των διαφορετικών τεχνολογιών.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες