Institutional Repository [SANDBOX]
Technical University of Crete
EN  |  EL

Search

Browse

My Space

Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs

Fousteris Georgios

Simple record


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/72B0C564-5583-4D7D-A051-B74C7672ED1E-
Identifierhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84143-
Languageel-
Extent78 σελίδεςel
Extent11.5 megabytesel
TitleΧαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFETel
TitleCharacterization and Modeling of HV-LDMOSFETsen
CreatorFousteris Georgiosen
CreatorΦουστερης Γεωργιοςel
Contributor [Thesis Supervisor]Bucher Matthiasen
Contributor [Thesis Supervisor]Bucher Matthiasel
Contributor [Committee Member]Kalaitzakis Konstantinosen
Contributor [Committee Member]Καλαϊτζακης Κωνσταντινοςel
Contributor [Committee Member]Koutroulis Eftychiosen
Contributor [Committee Member]Κουτρουλης Ευτυχιοςel
PublisherΠολυτεχνείο Κρήτηςel
PublisherTechnical University of Creteen
Academic UnitTechnical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineeringen
Academic UnitΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
DescriptionΔιπλωματική εργασίαel
Content SummaryΟι διατάξεις HV-LDMOSFET προτείνονται για εφαρμογές με αντοχή σε σχετικά υψηλή τάση, όπως τα ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, οθόνες, ενισχυτές RF κα. Αντικείμενο αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και η συμπαγής μοντελοποίηση διατάξεων HV-LDMOSFET (High-Voltage Lateral Diffused MOSFET). Ο πειραματικός χαρακτηρισμός έγινε πάνω σε wafer στις εγκαταστάσεις του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής του Πολυτεχνείου Κρήτης. Μελετήθηκαν τρανζίστορ HV-LDMOS 24V και 30V καναλιού τύπου n και p, με έμφαση στην διαμόρφωση της απόδοσης συναρτήσει του μήκους καναλιού. Παρουσιάζονται οι τεχνικές εξαγωγής των παραμέτρων, οι μετρήσεις από διαφορετικά dies του wafer και οι μέσοι όροι των στοιχείων με επεξήγηση των φαινομένων που επικρατούν. Η προσέγγιση της συμπαγούς μοντελοποίησης βασίστηκε σε μοντέλα MOSFET EKV 2.6 (low voltage part) και του JFET spectre (drift region), λόγω της ευρείας διαθεσιμότητας των μοντέλων. Το λογισμικό που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις καθώς και την υλοποίηση της διαδικασίας της εξαγωγής των παραμέτρων είναι το IC-CAP της Keysight καθώς και ο προσομοιωτής Spectre της Cadence. Τα αποτελέσματα της μοντελοποίησης αξιολογούνται και προτείνονται μελλοντικές εργασίες.el
Type of ItemΔιπλωματική Εργασίαel
Type of ItemDiploma Worken
Licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/en
Date of Item2019-12-20-
Date of Publication2019-
SubjectΣυμπαγής μοντελοποίησηel
SubjectMOSFETen
SubjectLDMOSel
SubjectDMOSen
SubjectLDMOSFETen
SubjectCompact modelingen
Bibliographic CitationΓεώργιος Φουστέρης, "Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019el
Bibliographic CitationGeorgios Fousteris, "Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019en

Available Files

Services

Statistics