![Institutional Repository [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Institutional Repository [SANDBOX]"){kind=logo}
Institutional Repository [SANDBOX]
Technical University of Crete
Technical University of Crete
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/72B0C564-5583-4D7D-A051-B74C7672ED1E | - |
| Identifier | https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84143 | - |
| Language | el | - |
| Extent | 78 σελίδες | el |
| Extent | 11.5 megabytes | el |
| Title | Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET | el |
| Title | Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs | en |
| Creator | Fousteris Georgios | en |
| Creator | Φουστερης Γεωργιος | el |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | en |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | el |
| Contributor [Committee Member] | Kalaitzakis Konstantinos | en |
| Contributor [Committee Member] | Καλαϊτζακης Κωνσταντινος | el |
| Contributor [Committee Member] | Koutroulis Eftychios | en |
| Contributor [Committee Member] | Κουτρουλης Ευτυχιος | el |
| Publisher | Πολυτεχνείο Κρήτης | el |
| Publisher | Technical University of Crete | en |
| Academic Unit | Technical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineering | en |
| Academic Unit | Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών | el |
| Description | Διπλωματική εργασία | el |
| Content Summary | Οι διατάξεις HV-LDMOSFET προτείνονται για εφαρμογές με αντοχή σε σχετικά υψηλή τάση, όπως τα ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, οθόνες, ενισχυτές RF κα. Αντικείμενο αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και η συμπαγής μοντελοποίηση διατάξεων HV-LDMOSFET (High-Voltage Lateral Diffused MOSFET). Ο πειραματικός χαρακτηρισμός έγινε πάνω σε wafer στις εγκαταστάσεις του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής του Πολυτεχνείου Κρήτης. Μελετήθηκαν τρανζίστορ HV-LDMOS 24V και 30V καναλιού τύπου n και p, με έμφαση στην διαμόρφωση της απόδοσης συναρτήσει του μήκους καναλιού. Παρουσιάζονται οι τεχνικές εξαγωγής των παραμέτρων, οι μετρήσεις από διαφορετικά dies του wafer και οι μέσοι όροι των στοιχείων με επεξήγηση των φαινομένων που επικρατούν. Η προσέγγιση της συμπαγούς μοντελοποίησης βασίστηκε σε μοντέλα MOSFET EKV 2.6 (low voltage part) και του JFET spectre (drift region), λόγω της ευρείας διαθεσιμότητας των μοντέλων. Το λογισμικό που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις καθώς και την υλοποίηση της διαδικασίας της εξαγωγής των παραμέτρων είναι το IC-CAP της Keysight καθώς και ο προσομοιωτής Spectre της Cadence. Τα αποτελέσματα της μοντελοποίησης αξιολογούνται και προτείνονται μελλοντικές εργασίες. | el |
| Type of Item | Διπλωματική Εργασία | el |
| Type of Item | Diploma Work | en |
| License | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | en |
| Date of Item | 2019-12-20 | - |
| Date of Publication | 2019 | - |
| Subject | Συμπαγής μοντελοποίηση | el |
| Subject | MOSFET | en |
| Subject | LDMOS | el |
| Subject | DMOS | en |
| Subject | LDMOSFET | en |
| Subject | Compact modeling | en |
| Bibliographic Citation | Γεώργιος Φουστέρης, "Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019 | el |
| Bibliographic Citation | Georgios Fousteris, "Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019 | en |
Copyright © DIAS 2013
