![Institutional Repository [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Institutional Repository [SANDBOX]"){kind=logo}
Institutional Repository [SANDBOX]
Technical University of Crete
Technical University of Crete
EN
|
EL
| URI: | http://purl.tuc.gr/dl/dias/72B0C564-5583-4D7D-A051-B74C7672ED1E | ||
| Year | 2019 | ||
| Type of Item | Diploma Work | ||
| License |
|
||
| Bibliographic Citation | Georgios Fousteris, "Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019 https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84143 | ||
| Appears in Collections |
Οι διατάξεις HV-LDMOSFET προτείνονται για εφαρμογές με αντοχή σε σχετικά υψηλή τάση, όπως τα ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, οθόνες, ενισχυτές RF κα. Αντικείμενο αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και η συμπαγής μοντελοποίηση διατάξεων HV-LDMOSFET (High-Voltage Lateral Diffused MOSFET). Ο πειραματικός χαρακτηρισμός έγινε πάνω σε wafer στις εγκαταστάσεις του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής του Πολυτεχνείου Κρήτης. Μελετήθηκαν τρανζίστορ HV-LDMOS 24V και 30V καναλιού τύπου n και p, με έμφαση στην διαμόρφωση της απόδοσης συναρτήσει του μήκους καναλιού. Παρουσιάζονται οι τεχνικές εξαγωγής των παραμέτρων, οι μετρήσεις από διαφορετικά dies του wafer και οι μέσοι όροι των στοιχείων με επεξήγηση των φαινομένων που επικρατούν. Η προσέγγιση της συμπαγούς μοντελοποίησης βασίστηκε σε μοντέλα MOSFET EKV 2.6 (low voltage part) και του JFET spectre (drift region), λόγω της ευρείας διαθεσιμότητας των μοντέλων. Το λογισμικό που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις καθώς και την υλοποίηση της διαδικασίας της εξαγωγής των παραμέτρων είναι το IC-CAP της Keysight καθώς και ο προσομοιωτής Spectre της Cadence. Τα αποτελέσματα της μοντελοποίησης αξιολογούνται και προτείνονται μελλοντικές εργασίες.
Copyright © DIAS 2013
