![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/72B0C564-5583-4D7D-A051-B74C7672ED1E | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84143 | - |
| Γλώσσα | el | - |
| Μέγεθος | 78 σελίδες | el |
| Μέγεθος | 11.5 megabytes | el |
| Τίτλος | Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET | el |
| Τίτλος | Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs | en |
| Δημιουργός | Fousteris Georgios | en |
| Δημιουργός | Φουστερης Γεωργιος | el |
| Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής] | Bucher Matthias | en |
| Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής] | Bucher Matthias | el |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Kalaitzakis Konstantinos | en |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Καλαϊτζακης Κωνσταντινος | el |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Koutroulis Eftychios | en |
| Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής] | Κουτρουλης Ευτυχιος | el |
| Εκδότης | Πολυτεχνείο Κρήτης | el |
| Εκδότης | Technical University of Crete | en |
| Ακαδημαϊκή Μονάδα | Technical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineering | en |
| Ακαδημαϊκή Μονάδα | Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών | el |
| Περιγραφή | Διπλωματική εργασία | el |
| Περίληψη | Οι διατάξεις HV-LDMOSFET προτείνονται για εφαρμογές με αντοχή σε σχετικά υψηλή τάση, όπως τα ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, οθόνες, ενισχυτές RF κα. Αντικείμενο αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και η συμπαγής μοντελοποίηση διατάξεων HV-LDMOSFET (High-Voltage Lateral Diffused MOSFET). Ο πειραματικός χαρακτηρισμός έγινε πάνω σε wafer στις εγκαταστάσεις του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής του Πολυτεχνείου Κρήτης. Μελετήθηκαν τρανζίστορ HV-LDMOS 24V και 30V καναλιού τύπου n και p, με έμφαση στην διαμόρφωση της απόδοσης συναρτήσει του μήκους καναλιού. Παρουσιάζονται οι τεχνικές εξαγωγής των παραμέτρων, οι μετρήσεις από διαφορετικά dies του wafer και οι μέσοι όροι των στοιχείων με επεξήγηση των φαινομένων που επικρατούν. Η προσέγγιση της συμπαγούς μοντελοποίησης βασίστηκε σε μοντέλα MOSFET EKV 2.6 (low voltage part) και του JFET spectre (drift region), λόγω της ευρείας διαθεσιμότητας των μοντέλων. Το λογισμικό που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις καθώς και την υλοποίηση της διαδικασίας της εξαγωγής των παραμέτρων είναι το IC-CAP της Keysight καθώς και ο προσομοιωτής Spectre της Cadence. Τα αποτελέσματα της μοντελοποίησης αξιολογούνται και προτείνονται μελλοντικές εργασίες. | el |
| Τύπος | Διπλωματική Εργασία | el |
| Τύπος | Diploma Work | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-12-20 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2019 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Συμπαγής μοντελοποίηση | el |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | LDMOS | el |
| Θεματική Κατηγορία | DMOS | en |
| Θεματική Κατηγορία | LDMOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Compact modeling | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Γεώργιος Φουστέρης, "Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019 | el |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Georgios Fousteris, "Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019 | en |
Copyright © DIAS 2013
