Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET

Fousteris Georgios

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/72B0C564-5583-4D7D-A051-B74C7672ED1E-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84143-
Γλώσσαel-
Μέγεθος78 σελίδεςel
Μέγεθος11.5 megabytesel
ΤίτλοςΧαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFETel
ΤίτλοςCharacterization and Modeling of HV-LDMOSFETsen
ΔημιουργόςFousteris Georgiosen
ΔημιουργόςΦουστερης Γεωργιοςel
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasen
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Kalaitzakis Konstantinosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Καλαϊτζακης Κωνσταντινοςel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Koutroulis Eftychiosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Κουτρουλης Ευτυχιοςel
ΕκδότηςΠολυτεχνείο Κρήτηςel
ΕκδότηςTechnical University of Creteen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαTechnical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineeringen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
ΠεριγραφήΔιπλωματική εργασίαel
ΠερίληψηΟι διατάξεις HV-LDMOSFET προτείνονται για εφαρμογές με αντοχή σε σχετικά υψηλή τάση, όπως τα ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, οθόνες, ενισχυτές RF κα. Αντικείμενο αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και η συμπαγής μοντελοποίηση διατάξεων HV-LDMOSFET (High-Voltage Lateral Diffused MOSFET). Ο πειραματικός χαρακτηρισμός έγινε πάνω σε wafer στις εγκαταστάσεις του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής του Πολυτεχνείου Κρήτης. Μελετήθηκαν τρανζίστορ HV-LDMOS 24V και 30V καναλιού τύπου n και p, με έμφαση στην διαμόρφωση της απόδοσης συναρτήσει του μήκους καναλιού. Παρουσιάζονται οι τεχνικές εξαγωγής των παραμέτρων, οι μετρήσεις από διαφορετικά dies του wafer και οι μέσοι όροι των στοιχείων με επεξήγηση των φαινομένων που επικρατούν. Η προσέγγιση της συμπαγούς μοντελοποίησης βασίστηκε σε μοντέλα MOSFET EKV 2.6 (low voltage part) και του JFET spectre (drift region), λόγω της ευρείας διαθεσιμότητας των μοντέλων. Το λογισμικό που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις καθώς και την υλοποίηση της διαδικασίας της εξαγωγής των παραμέτρων είναι το IC-CAP της Keysight καθώς και ο προσομοιωτής Spectre της Cadence. Τα αποτελέσματα της μοντελοποίησης αξιολογούνται και προτείνονται μελλοντικές εργασίες.el
ΤύποςΔιπλωματική Εργασίαel
ΤύποςDiploma Worken
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/en
Ημερομηνία2019-12-20-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2019-
Θεματική ΚατηγορίαΣυμπαγής μοντελοποίησηel
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαLDMOSel
Θεματική ΚατηγορίαDMOSen
Θεματική ΚατηγορίαLDMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelingen
Βιβλιογραφική ΑναφοράΓεώργιος Φουστέρης, "Χαρακτηρισμός και Μοντελοποίηση Τρανζίστορ Τύπου HV-LDMOSFET", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019el
Βιβλιογραφική ΑναφοράGeorgios Fousteris, "Characterization and Modeling of HV-LDMOSFETs", Diploma Work, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2019en

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά