Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Μελέτη τρανζίστορ επίδρασης πεδίου MOS τύπου-Ν με κυκλική πύλη – ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και μεταβλητότητα

Diamantis Christos

Πλήρης Εγγραφή

---

Περίληψη

Το MOSFET είναι μακράν το πιο συνηθισμένο τρανζίστορ στα ψηφιακά συστήματα, καθώς εκατομμύρια από αυτά μπορεί να περιλαμβάνονται σε ένα τσιπ μνήμης ή έναν μικροεπεξεργαστή. Αφού μπορούν να κατασκευαστούν είτε με τύπου-P είτε με τύπου-N ημιαγωγούς, συμπληρωματικά ζεύγη από MOS τρανζίστορ μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να κατασκευάσουμε κυκλώματα διακοπτών με πολύ χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, στην μορφή της λογικής CMOS.Το γεγονός ότι τα MOSFET είναι ένα τόσο σημαντικό στοιχείο στα ηλεκτρονικά κυκλώματα, δημιουργεί την ανάγκη μελέτης διαφορετικών τύπων MOSFET έτσι ώστε να βρεθεί ο ιδανικός για κάθε διαφορετική ανάγκη της βιομηχανίας. Τα τρανζίστορ με περικλεισμένη πύλη φαίνεται να είναι η βέλτιστη λύση για εφαρμογές σε περιβάλλοντα με έντονη ραδιενέργεια καθώς εξαιτίας της γεωμετρίας τους και της έλλειψης γωνιών STI, περιορίζεται κατά πολύ το ρεύμα διαρροής.Σε αυτή την διπλωματική μελετώνται τρανζίστορ επίδρασης πεδίου MOS τύπου-Ν με κυκλική πύλη. Πιο συγκεκριμένα, μελετάται η σχέση τάσης – ρεύματος, η διαγωγιμότητα, η τάση κατωφλίου, η κινητικότητα των ηλεκτρονίων, ο συντελεστής κλήσης μετά από εκστρατεία πειραματικού χαρακτηρισμού. Τα παραπάνω χαρακτηριστικά έχουν εξαχθεί για επτά διαφορετικά τρανζίστορ με διαφορετικό μήκος και πλάτος καναλιού. Η ανάλυση αυτή συμπεριλαμβάνει τόσο την γραμμική λειτουργία όσο και την λειτουργία κορεσμού. Επιπροσθέτως, έχει μελετηθεί το ταίριασμα (matching) ομοίων τρανζίστορ με ίδια γεωμετρία, με στόχο την χρήση των τρανζίστορ με κυκλική πύλη σε αναλογικά ολοκληρωμένα ηλεκτρονικά ακριβείας.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες