Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Extending a 65nm CMOS process design kit for high total ionizing dose effects

Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Papadopoulou Alexia, Chevas Loukas, Borghello Giulio, Koch Henri D., Kloukinas Kostas C., Poikela Tuomas S., Faccio Federico

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/8828F177-C4C1-4FE2-8C51-0ED4BB2D6D06-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/MOCAST.2018.8376561-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8376561-
Γλώσσαen-
Μέγεθος5 pagesen
ΤίτλοςExtending a 65nm CMOS process design kit for high total ionizing dose effectsen
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςPapadopoulou Alexiaen
ΔημιουργόςΠαπαδοπουλου Αλεξιαel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΔημιουργόςBorghello Giulioen
ΔημιουργόςKoch Henri D.en
ΔημιουργόςKloukinas Kostas C.en
ΔημιουργόςPoikela Tuomas S.en
ΔημιουργόςFaccio Federicoen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηStandard CMOS Process Design Kits (PDKs) do not address degradation the technology incurs when exposed to high Total Ionizing Dose (TID). Front-end electronics for the High-Luminosity Large Hadron Collider are expected to be exposed up to ten-fold doses. Bulk CMOS at 65 nm is a strong contender for such electronics due to a favorable trade-off among cost, performance, and TID-sensitivity. The present paper presents the extension of a foundry-provided PDK to cover also high TID effects. TID experiments have been carried out up to 500 Mrad. The PDK is based on binned BSIM4 models, which are adapted to different TID levels. Hence, designers may choose among different TID levels for their designs, contributing importantly to radiation-hard design practice.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2019-09-06-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2018-
Θεματική ΚατηγορίαBSIMen
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelen
Θεματική ΚατηγορίαHigh-Luminosity Large Hadron Collideren
Θεματική ΚατηγορίαIonizing radiationen
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαRadiation hardnessen
Θεματική ΚατηγορίαTotal ionizing doseen
Βιβλιογραφική ΑναφοράA. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, L. Chevas, G. Borghello, H.D. Koch, K. Kloukinas, T.S. Poikela and F. Faccio, "Extending a 65nm CMOS process design kit for high total ionizing dose effects," in 7th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies, 2018, pp. 1-4. doi: 10.1109/MOCAST.2018.8376561en

Υπηρεσίες

Στατιστικά