![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8828F177-C4C1-4FE2-8C51-0ED4BB2D6D06 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/MOCAST.2018.8376561 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8376561 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 5 pages | en |
| Τίτλος | Extending a 65nm CMOS process design kit for high total ionizing dose effects | en |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Papadopoulou Alexia | en |
| Δημιουργός | Παπαδοπουλου Αλεξια | el |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Δημιουργός | Borghello Giulio | en |
| Δημιουργός | Koch Henri D. | en |
| Δημιουργός | Kloukinas Kostas C. | en |
| Δημιουργός | Poikela Tuomas S. | en |
| Δημιουργός | Faccio Federico | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | Standard CMOS Process Design Kits (PDKs) do not address degradation the technology incurs when exposed to high Total Ionizing Dose (TID). Front-end electronics for the High-Luminosity Large Hadron Collider are expected to be exposed up to ten-fold doses. Bulk CMOS at 65 nm is a strong contender for such electronics due to a favorable trade-off among cost, performance, and TID-sensitivity. The present paper presents the extension of a foundry-provided PDK to cover also high TID effects. TID experiments have been carried out up to 500 Mrad. The PDK is based on binned BSIM4 models, which are adapted to different TID levels. Hence, designers may choose among different TID levels for their designs, contributing importantly to radiation-hard design practice. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-09-06 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2018 | - |
| Θεματική Κατηγορία | BSIM | en |
| Θεματική Κατηγορία | Compact model | en |
| Θεματική Κατηγορία | High-Luminosity Large Hadron Collider | en |
| Θεματική Κατηγορία | Ionizing radiation | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Radiation hardness | en |
| Θεματική Κατηγορία | Total ionizing dose | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | A. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, L. Chevas, G. Borghello, H.D. Koch, K. Kloukinas, T.S. Poikela and F. Faccio, "Extending a 65nm CMOS process design kit for high total ionizing dose effects," in 7th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies, 2018, pp. 1-4. doi: 10.1109/MOCAST.2018.8376561 | en |
Copyright © DIAS 2013
