Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Total ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layout

Bucher Matthias, Nikolaou Aristeidis, Papadopoulou Alexia, Makris Nikolaos, Chevas Loukas, Borghello Giulio, Koch Henri D., Faccio Federico

Απλή Εγγραφή

URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/8841AE2A-55D0-4528-BA95-4D4F867B038C-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ICMTS.2018.8383790-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8383790-
Γλώσσαen-
Μέγεθος5 pagesen
ΤίτλοςTotal ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layouten
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςPapadopoulou Alexiaen
ΔημιουργόςΠαπαδοπουλου Αλεξιαel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΔημιουργόςBorghello Giulioen
ΔημιουργόςKoch Henri D.en
ΔημιουργόςFaccio Federico en
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηHigh doses of ionizing irradiation cause significant shifts in design parameters of standard bulk silicon CMOS. Analog performance of a commercial 65 nm CMOS technology is examined for standard and enclosed gate layouts, with Total Ionizing Dose (TID) up to 500 Mrad(SiO2). The paper provides insight into geometrical and bias dependence of key design parameters such as threshold voltage, DIBL, transconductance efficiency, slope factor, and intrinsic gain. A modeling approach for an efficient representation of saturation transfer characteristics under TID from weak through moderate and strong inversion and over channel length is discussed.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2019-09-06-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2018-
Θεματική ΚατηγορίαAnalog parametersen
Θεματική ΚατηγορίαEnclosed layouten
Θεματική ΚατηγορίαModelingen
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαParameter extractionen
Θεματική ΚατηγορίαRadiation hardnessen
Θεματική ΚατηγορίαTotal ionizing doseen
Βιβλιογραφική ΑναφοράM. Bucher, A. Nikolaou, A. Papadopoulou, N. Makris, L. Chevas, G. Borghello, H.D. Koch and F. Faccio, "Total ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layout," in IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, 2018, pp. 166-170. doi: 10.1109/ICMTS.2018.8383790en

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013