![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/2190DF60-9231-463F-8E6F-878E8B185832 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/TED.2018.2830972 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8357582 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 5 pages | en |
| Τίτλος | Charge-based model for junction FETs | en |
| Δημιουργός | Jazaeri, Farzan 1984- | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Saeidi, Ali, 1973- | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Sallese, Jean-Michel 1964- | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | We present a unified charge-based model for double-gate and cylindrical architectures of junction field-effect transistors (JFETs). The central concept is to consider the JFET as a junctionless FET (JLFET) with an infinitely thin insulating layer, leading to analytical expressions between charge densities, current, and voltages without any fitting parameters. Assessment of the model with numerical technology computer-aided design simulations confirms that holding the JFET as a special case of the JLFET is justified in all the regions of operation, i.e., from deep depletion to flat-band and from linear to saturation. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-09-02 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2018 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Cylindrical gate all around junction field-effect transistor (JFET) | en |
| Θεματική Κατηγορία | Double-gate FETs | en |
| Θεματική Κατηγορία | Nanowire FETs | en |
| Θεματική Κατηγορία | Power semiconductor FETs | en |
| Θεματική Κατηγορία | Radiation-hard electronics | en |
| Θεματική Κατηγορία | Vertical JFET (V-JFET) | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | F. Jazaeri, N. Makris, A. Saeidi. M. Bucher and J.-M. Sallese, "Charge-based model for junction FETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 7, pp. 2694-2698, July 2018. doi: 10.1109/TED.2018.2830972 | en |
Copyright © DIAS 2013
