Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Charge-based model for junction FETs

Jazaeri, Farzan 1984-, Makris Nikolaos, Saeidi, Ali, 1973-, Bucher Matthias, Sallese, Jean-Michel 1964-

Πλήρης Εγγραφή


URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/2190DF60-9231-463F-8E6F-878E8B185832
Έτος 2018
Τύπος Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά F. Jazaeri, N. Makris, A. Saeidi. M. Bucher and J.-M. Sallese, "Charge-based model for junction FETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 7, pp. 2694-2698, July 2018. doi: 10.1109/TED.2018.2830972 https://doi.org/10.1109/TED.2018.2830972
Εμφανίζεται στις Συλλογές

Περίληψη

We present a unified charge-based model for double-gate and cylindrical architectures of junction field-effect transistors (JFETs). The central concept is to consider the JFET as a junctionless FET (JLFET) with an infinitely thin insulating layer, leading to analytical expressions between charge densities, current, and voltages without any fitting parameters. Assessment of the model with numerical technology computer-aided design simulations confirms that holding the JFET as a special case of the JLFET is justified in all the regions of operation, i.e., from deep depletion to flat-band and from linear to saturation.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά