![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8359EE6E-3589-4084-809F-B31E5F50142D | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/TED.2018.2838090 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8374091 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 6 pages | en |
| Τίτλος | Charge-based modeling of long-channel symmetric double-gate junction FETs-Part II: total charges and transcapacitances | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Jazaeri, Farzan 1984- | en |
| Δημιουργός | Sallese, Jean-Michel 1964- | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | A compact model for the dynamic operation of double-gate junction field-effect transistors is established in this paper. Analytical model expressions are developed for the total node charges and transcapacitances valid from subthreshold to above threshold and from linear to saturation operation. The model is shown to conserve symmetry among source and drain, and circumvents problems at zero drain-to-source bias. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-09-02 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2018 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Analytical model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Circuit simulation | en |
| Θεματική Κατηγορία | Dynamic model | en |
| Θεματική Κατηγορία | High frequency | en |
| Θεματική Κατηγορία | Junction field-effect transistor (JFET) | en |
| Θεματική Κατηγορία | Transcapacitance | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Makris, F. Jazaeri, J.-M. Sallese and M. Bucher, "Charge-based modeling of long-channel symmetric double-gate junction FETs-Part II: total charges and transcapacitances," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 7, pp. 2751-2756, July 2018. doi: 10.1109/TED.2018.2838090 | en |
Copyright © DIAS 2013
