Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Charge-based modeling of long-channel symmetric double-gate junction FETs-Part II: total charges and transcapacitances

Makris Nikolaos, Jazaeri, Farzan 1984-, Sallese, Jean-Michel 1964-, Bucher Matthias

Πλήρης Εγγραφή

URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/8359EE6E-3589-4084-809F-B31E5F50142D
Έτος 2018
Τύπος Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά N. Makris, F. Jazaeri, J.-M. Sallese and M. Bucher, "Charge-based modeling of long-channel symmetric double-gate junction FETs-Part II: total charges and transcapacitances," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 7, pp. 2751-2756, July 2018. doi: 10.1109/TED.2018.2838090 https://doi.org/10.1109/TED.2018.2838090
Εμφανίζεται στις Συλλογές
Δημοσιεύσεις σε Περιοδικά στην Κοινότητα Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Δημοσιεύσεις σε Περιοδικά στην Κοινότητα Εργαστήριο Ηλεκτρονικής

Περίληψη

A compact model for the dynamic operation of double-gate junction field-effect transistors is established in this paper. Analytical model expressions are developed for the total node charges and transcapacitances valid from subthreshold to above threshold and from linear to saturation operation. The model is shown to conserve symmetry among source and drain, and circumvents problems at zero drain-to-source bias.

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013