Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

A compact model for static and dynamic operation of symmetric double-gate junction FETs

Makris Nikolaos, Bucher Matthias, Jazaeri, Farzan 1984-, Sallese, Jean-Michel 1964-

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/549A3EB1-38F3-45F2-8009-65ADC308F4B3-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ESSDERC.2018.8486848-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8486848-
Γλώσσαen-
Μέγεθος4 pagesen
ΤίτλοςA compact model for static and dynamic operation of symmetric double-gate junction FETsen
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςJazaeri, Farzan 1984-en
ΔημιουργόςSallese, Jean-Michel 1964-en
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηThe present work describes a novel charge-based compact model of the symmetric double-gate junction field effect transistor (DG JFET) for circuit simulation. The model is physics-based and addresses static and capacitive behavior of the JFET. The model covers all regions of device operation of the depletion mode JFET, relies only on physical and electrical parameters of the device, and includes short-channel effects. The model is validated with respect to TCAD simulation as well as with respect to measurements from JFETs. The model is implemented in SPICE circuit simulators using Verilog-A based code.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2019-05-31-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2018-
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelen
Θεματική ΚατηγορίαDynamic modelen
Θεματική ΚατηγορίαHigh frequencyen
Θεματική ΚατηγορίαJFETen
Θεματική ΚατηγορίαJunction field effect transistoren
Θεματική ΚατηγορίαSPICEen
Θεματική ΚατηγορίαVerilog-Aen
Βιβλιογραφική ΑναφοράN. Makris, M. Bucher, F. Jazaeri and J. M. Sallese "A compact model for static and dynamic operation of symmetric double-gate junction FETs," in 48th European Solid-State Device Research Conference, pp. 238-241, 2018. doi: 10.1109/ESSDERC.2018.8486848en

Υπηρεσίες

Στατιστικά