Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS

Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Papadopoulou Alexia, Chevas Loukas, Borghello Jiulio, Koch Henri D., Faccio Federico

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/8300B063-A1AA-4DBB-BD64-AFD31642A8FC-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/SMICND.2018.8539806-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8539806-
Γλώσσαen-
Μέγεθος4 pagesen
ΤίτλοςModeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOSen
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςPapadopoulou Alexiaen
ΔημιουργόςΠαπαδοπουλου Αλεξιαel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΔημιουργόςBorghello Jiulioen
ΔημιουργόςKoch Henri D.en
ΔημιουργόςFaccio Federicoen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηHigh doses of ionizing radiation drastically impair the electrical performance of CMOS technology. Enclosed gate layout remains an effective means to reduce this impact. Nevertheless, high total ionizing dose (TID) effects remain strong. The paper presents an effective approach to analytically model high TID effects in both NMOS and PMOS transistors with enclosed-gate layout in 65 nm commercial CMOS.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2019-05-24-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2018-
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelingen
Θεματική ΚατηγορίαEKV modelen
Θεματική ΚατηγορίαEnclosed gate MOSFETsen
Θεματική ΚατηγορίαHigh energy physicsen
Θεματική ΚατηγορίαHigh total ionizing doseen
Θεματική ΚατηγορίαRadiationen
Θεματική ΚατηγορίαSpace applicationsen
Βιβλιογραφική ΑναφοράA. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, L. Chevas, G. Borghello, H. D. Koch and F. Faccio, "Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS," in 41st International Semiconductor Conference, 2018, pp. 133-136. doi: 10.1109/SMICND.2018.8539806en

Υπηρεσίες

Στατιστικά