Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS

Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Papadopoulou Alexia, Chevas Loukas, Borghello Jiulio, Koch Henri D., Faccio Federico

Πλήρης Εγγραφή

URI:	http://purl.tuc.gr/dl/dias/8300B063-A1AA-4DBB-BD64-AFD31642A8FC
Έτος	2018
Τύπος	Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο
Άδεια Χρήσης	Λεπτομέρειες Το έργο με τίτλο Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS από τον/τους δημιουργό/ούς Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Papadopoulou Alexia, Chevas Loukas, Borghello Jiulio, Koch Henri D., Faccio Federico διατίθεται με την άδεια Creative Commons Αναφορά Δημιουργού 4.0 Διεθνές
Βιβλιογραφική Αναφορά	A. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, L. Chevas, G. Borghello, H. D. Koch and F. Faccio, "Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS," in 41st International Semiconductor Conference, 2018, pp. 133-136. doi: 10.1109/SMICND.2018.8539806 https://doi.org/10.1109/SMICND.2018.8539806
Εμφανίζεται στις Συλλογές