Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS

Nikolaou Aristeidis, Bucher Matthias, Makris Nikolaos, Papadopoulou Alexia, Chevas Loukas, Borghello Jiulio, Koch Henri D., Faccio Federico

Πλήρης Εγγραφή

URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/8300B063-A1AA-4DBB-BD64-AFD31642A8FC
Έτος 2018
Τύπος Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά A. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, L. Chevas, G. Borghello, H. D. Koch and F. Faccio, "Modeling of high total ionizing dose (TID) effects for enclosed layout transistors in 65 nm bulk CMOS," in 41st International Semiconductor Conference, 2018, pp. 133-136. doi: 10.1109/SMICND.2018.8539806 https://doi.org/10.1109/SMICND.2018.8539806
Εμφανίζεται στις Συλλογές
Δημοσιεύσεις σε Συνέδρια στην Κοινότητα Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Περίληψη

High doses of ionizing radiation drastically impair the electrical performance of CMOS technology. Enclosed gate layout remains an effective means to reduce this impact. Nevertheless, high total ionizing dose (TID) effects remain strong. The paper presents an effective approach to analytically model high TID effects in both NMOS and PMOS transistors with enclosed-gate layout in 65 nm commercial CMOS.

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013