Το έργο με τίτλο Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και συμπαγής μοντελοποίηση τρανζίστορ ισχύος τύπου D-MOSFET από τον/τους δημιουργό/ούς Iosifidis Michail-Ilias διατίθεται με την άδεια Creative Commons Αναφορά Δημιουργού 4.0 Διεθνές
Βιβλιογραφική Αναφορά
Μιχαήλ-Ηλίας Ιωσηφίδης, "Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και συμπαγής μοντελοποίηση τρανζίστορ ισχύος τύπου D-MOSFET ", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2018
https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.79142
Σκοπός της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η μελέτη της συμπεριφοράς δυο ειδών από σύγχρονα τρανζίστορ ισχύος, τα οποία ονομάζονται οριζόντια (LDMOS) και κάθετα(VDMOS). Όλα τα n-τύπου και p-τύπου τρανζίστορ έχουν χαρακτηριστεί εργαστηριακά και με στατικές αλλά και με δυναμικές τεχνικές. Οι μετρήσεις μαζί με τον εξοπλισμό που χρησιμοποιήθηκε για να εξαχθούν θα περιγραφούν. Επίσης θα μελετηθούν όλες οι διαφορετικές γεωμετρίες όπου αυτές είναι διαθέσιμες. Στην συνέχεια, τεχνικές για την εξαγωγή παραμέτρων θα παρουσιαστούν μαζί με την ανάλυση της στατιστικής τους διασποράς. Πιο συγκεκριμένα για τα κάθετου τύπου τρανζίστορ (VDMOS), θα ακολουθηθεί η μεθοδολογία ενός μοντέλου εξαγωγής παραμέτρων, του EPFL-HV compact model, οπού οι εργαστηριακές μετρήσεις αποτελούν την βάση αυτού.Αυτή η εργασία είναι δομημένη ως εξής: στο πρώτο κεφάλαιο θα γίνει μία εισαγωγή για την σπουδαιότητα της τεχνολογίας των DMOS και για το μοντέλο που χρησιμοποιήθηκε για να προσομοιώσει την λειτουργία τους, στο δεύτερο κεφάλαιο περιγράφεται η λειτουργία και τα χαρακτηριστικά ενός απλού τρανζίστορ καθώς και οι δύο τύποι των DMOS ενώ στο τρίτο κεφάλαιο θα παρουσιαστεί μια περιγραφή του EPFL HV μοντέλου μαζί με τα φαινόμενα τα οποία προσομοιώνει. Τα κεφάλαια τέσσερα και πέντε είναι αφιερωμένα στις εργαστηριακές μετρήσεις των δύο οικογενειών όπου τέσσερα είδη συσκευών θα αναλυθούν. Τέλος το κεφάλαιο 6 περιλαμβάνει την κατακλείδα αυτής της διπλωματικής εργασίας μαζί με τις προτάσεις για μελλοντική δουλειά πάνω στο αντικείμενο αυτό.