Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Variability of low frequency noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETs

Bucher Matthias, Nikolaou Aristeidis, Mavredakis Nikolaos, Makris Nikolaos, Coustans Mathieu, Lolivier, Jérôme 1978-, Habaš Predrag, Acović, Alexandre, Meyer René

Απλή Εγγραφή

URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/07573443-AB28-4F1C-BB86-778C115FA01A-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/7954285/-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ICMTS.2017.7954285-
Γλώσσαen-
ΤίτλοςVariability of low frequency noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETsen
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςMavredakis Nikolaosen
ΔημιουργόςΜαυρεδακης Νικολαοςel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςCoustans Mathieuen
ΔημιουργόςLolivier, Jérôme 1978-en
ΔημιουργόςHabaš Predragen
ΔημιουργόςAcović, Alexandreen
ΔημιουργόςMeyer Renéen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηVariability of Low Frequency Noise (LFN) and Random Telegraph Noise (RTN) is an important concern for many analog CMOS integrated circuits. In this paper, transistors with enclosed gate layout are examined and compared with standard layout transistors, with particular emphasis on weak inversion region. Enclosed gate transistors show an improved gate voltage mismatch in weak inversion. A compact MOSFET model for LFN and its variability, based on number fluctuation theory, is shown to cover well the behavior of either type of transistors. Lower levels of noise as well as lower variability of noise are observed in enclosed gate transistors. en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2018-05-08-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2017-
Θεματική ΚατηγορίαLFNen
Θεματική ΚατηγορίαLow Frequency Noiseen
Θεματική ΚατηγορίαRTNen
Θεματική ΚατηγορίαRandom Telegraph Noiseen
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Βιβλιογραφική ΑναφοράM. Bucher, A. Nikolaou, N. Mavredakis, N. Makris, M. Coustans, J. Lolivier, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Variability of low frequency noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETs" in International Conference on Microelectronic Test Structures, 2017. doi: 10.1109/ICMTS.2017.7954285 en

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013