![Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]](images/dias.logo.png "Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]"){kind=logo}
Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/EDF37EBB-CE96-41BF-9707-74A589088EAB | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/7986018/ | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/ICNF.2017.7986018 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Τίτλος | Statistical analysis of 1/f noise in enclosed-gate N- and PMOS transistors | en |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Mavredakis Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μαυρεδακης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Habaš Predrag | en |
| Δημιουργός | Acović, Alexandre | en |
| Δημιουργός | Meyer René | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | Low frequency noise (LFN) characteristics can limit the performance of conventional CMOS designs. In the context of this paper enclosed gate N- and P-MOS transistors will be examined regarding LFN mean value and its variability in various biasing conditions. In subthreshold region enclosed gate PMOS transistors show a significantly reduced LFN variability compared to the NMOS counterpart. Both devices present an improved noise performance. The LFN compact MOSFET model applied proved to be well suited to statistically model LFN in enclosed gate transistors. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2018-04-25 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2017 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Enclosed gate | en |
| Θεματική Κατηγορία | Low frequency noise | en |
| Θεματική Κατηγορία | Variability | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | A. Nikolaou, N. Mavredakis, M. Bucher, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Statistical analysis of 1/f noise in enclosed-gate N- and PMOS transistors," in International Conference on Noise and Fluctuations, 2017. doi : 10.1109/ICNF.2017.7986018 | en |
Copyright © DIAS 2013
