Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Statistical compact modeling of low frequency noise in buried-channel, native, and standard MOSFETs

Mavredakis Nikolaos, Bucher Matthias, Habaš Predrag, Acović, Alexandre, Meyer René

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/8C751A60-2C73-4922-A2F2-6E38608D9356-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/7985942/-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ICNF.2017.7985942-
Γλώσσαen-
ΤίτλοςStatistical compact modeling of low frequency noise in buried-channel, native, and standard MOSFETsen
ΔημιουργόςMavredakis Nikolaosen
ΔημιουργόςΜαυρεδακης Νικολαοςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςHabaš Predragen
ΔημιουργόςAcović, Alexandreen
ΔημιουργόςMeyer Renéen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηIn this paper, Buried-Channel and Native MOSFETs are thoroughly investigated in terms of Low Frequency Noise (LFN) variability for different bias and area conditions. These devices are compared with standard bulk CMOS transistors indicating lower levels of LFN regarding both its mean value and its variability. Moreover a recently proposed compact MOSFET model for LFN and its variability, is validated with excellent results. More specifically, it covers the increase of noise deviation in weak inversion and generally its strong bias-dependence in larger devices while it also gives consistent results regarding the scaling of LFN variability.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2018-04-25-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2017-
Θεματική ΚατηγορίαBuried channelen
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelen
Θεματική ΚατηγορίαLow frequency noiseen
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική ΚατηγορίαNativeen
Θεματική ΚατηγορίαVariabilityen
Βιβλιογραφική ΑναφοράN. Mavredakis, M. Bucher, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Statistical compact modeling of low frequency noise in buried-channel, native, and standard MOSFETs," in International Conference on Noise and Fluctuations, 2017. doi: 10.1109/ICNF.2017.7985942 en

Υπηρεσίες

Στατιστικά