Institutional Repository [SANDBOX]
Technical University of Crete
EN  |  EL

Search

Browse

My Space

On-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETs

Vamvoukakis Konstantinos

Simple record


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/CE8D2057-FA4D-45CC-97BA-0B6EAEDCD01F-
Identifierhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.64731-
Languageen-
Extent6,1 megabytesen
TitleΧαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs el
TitleOn-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETsen
CreatorVamvoukakis Konstantinosen
CreatorΒαμβουκακης Κωνσταντινοςel
Contributor [Thesis Supervisor]Bucher Matthiasen
Contributor [Thesis Supervisor]Bucher Matthiasel
Contributor [Committee Member]Stavrakakis Georgiosen
Contributor [Committee Member]Σταυρακακης Γεωργιοςel
Contributor [Committee Member]Zekentes, Konstantinosen
PublisherΠολυτεχνείο Κρήτηςel
PublisherTechnical University of Creteen
Academic UnitTechnical University of Crete::School of Electronic and Computer Engineeringen
Academic UnitΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
Content Summary Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα υποσχόμενο ευρέως χάσματος (wide band-gap) ημιαγωγικό υλικό με πολύ καλές και ελπιδοφόρες ιδιότητες για την κατασκευή ηλεκτρονικών ισχύος που θα μπορούν να λειτουργήσουν σε υψηλότερη ισχύ, θερμοκρασία και συχνότητα ενώ παράλληλα θα έχουν και μικρότερες διακοπτικές απώλειες, απώλειες αγωγής καθώς και μικρότερα ρεύματα διαρροής. Δύο δείγματα που περιλαμβάνουν 4H-SiC Vertical JFETs και 4H-SiC διόδους, κατασκευάστηκαν στην Ομάδα Μικροηλεκτρονικής του ΙΗΔΛ-ΙΤΕ, μελετήθηκαν και χαρακτηρίστηκαν ηλεκτρικά. Η δομή των στοιχείων που υπάρχουν στα δείγματα αυτά, περιγράφεται ενώ παρουσιάζεται και η διαδικασία (λιθογραφικά βήματα) που ακολουθήθηκε για τη κατασκευή των δειγμάτων. Στη συνέχεια παρουσιάζεται μια αναλυτική αναφορά για την ακολουθούμενη διαδικασία του επί ψηφίδα (on-wafer) ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Όλες οι απαραίτητες μετρήσεις και η στατιστική μελέτη που πρέπει να γίνουν τόσο για τα τρανζίστορ όσο και για τις διόδους περιγράφονται λεπτομερώς, μαζί με τις αντίστοιχες συνδεσμολογίες μετρήσεων καθώς και τα σχετικά όρια ασφαλείας. Ο χαρακτηρισμός των δειγμάτων οδηγεί στην εξαγωγή χρήσιμων συμπερασμάτων σχετικά τόσο με την σπουδαιότητα της ακολουθούμενης διαδικασίας χαρακτηρισμού όσο και για την απόδοση των τρανζίστορ και διόδων που μελετήθηκαν. Γίνονται εμφανείς πολλοί συσχετισμοί μεταξύ των δεικτών απόδοσης των στοιχείων και των γεωμετρικών του διαστάσεων. Oι συσχετισμοί αυτοί είναι πάρα πολύ χρήσιμοι στο μελλοντικό σχεδιασμό νέων στοιχείων. Επιπρόσθετα, γίνονται συγκρίσεις μεταξύ των μετρήσεων των τρανζίστορ και προσομοιώσεων με βάση τη θεωρία του στοιχείου ώστε να κρίνουμε σε τι βαθμό υπάρχει συμφωνία μεταξύ τους. el
Type of ItemΜεταπτυχιακή Διατριβήel
Type of ItemMaster Thesisen
Licensehttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Date of Item2016-04-18-
Date of Publication2016-
SubjectΗλεκτρικός χαρακτηρισμόςel
SubjectΚαρβίδιο του πυριτίουel
SubjectJFETen
Bibliographic CitationKonstantinos Vamvoukakis, "On-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETs", Master Thesis, School of Electronic and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2016en
Bibliographic CitationΚωνσταντίνος Βαμβουκάκης, "Χαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs", Μεταπτυχιακή Διατριβή, Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2016el

Available Files

Services

Statistics