Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Χαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs

Vamvoukakis Konstantinos

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/CE8D2057-FA4D-45CC-97BA-0B6EAEDCD01F-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.64731-
Γλώσσαen-
Μέγεθος6,1 megabytesen
ΤίτλοςΧαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs el
ΤίτλοςOn-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETsen
ΔημιουργόςVamvoukakis Konstantinosen
ΔημιουργόςΒαμβουκακης Κωνσταντινοςel
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasen
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Stavrakakis Georgiosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Σταυρακακης Γεωργιοςel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Zekentes, Konstantinosen
ΕκδότηςΠολυτεχνείο Κρήτηςel
ΕκδότηςTechnical University of Creteen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαTechnical University of Crete::School of Electronic and Computer Engineeringen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
Περίληψη Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα υποσχόμενο ευρέως χάσματος (wide band-gap) ημιαγωγικό υλικό με πολύ καλές και ελπιδοφόρες ιδιότητες για την κατασκευή ηλεκτρονικών ισχύος που θα μπορούν να λειτουργήσουν σε υψηλότερη ισχύ, θερμοκρασία και συχνότητα ενώ παράλληλα θα έχουν και μικρότερες διακοπτικές απώλειες, απώλειες αγωγής καθώς και μικρότερα ρεύματα διαρροής. Δύο δείγματα που περιλαμβάνουν 4H-SiC Vertical JFETs και 4H-SiC διόδους, κατασκευάστηκαν στην Ομάδα Μικροηλεκτρονικής του ΙΗΔΛ-ΙΤΕ, μελετήθηκαν και χαρακτηρίστηκαν ηλεκτρικά. Η δομή των στοιχείων που υπάρχουν στα δείγματα αυτά, περιγράφεται ενώ παρουσιάζεται και η διαδικασία (λιθογραφικά βήματα) που ακολουθήθηκε για τη κατασκευή των δειγμάτων. Στη συνέχεια παρουσιάζεται μια αναλυτική αναφορά για την ακολουθούμενη διαδικασία του επί ψηφίδα (on-wafer) ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Όλες οι απαραίτητες μετρήσεις και η στατιστική μελέτη που πρέπει να γίνουν τόσο για τα τρανζίστορ όσο και για τις διόδους περιγράφονται λεπτομερώς, μαζί με τις αντίστοιχες συνδεσμολογίες μετρήσεων καθώς και τα σχετικά όρια ασφαλείας. Ο χαρακτηρισμός των δειγμάτων οδηγεί στην εξαγωγή χρήσιμων συμπερασμάτων σχετικά τόσο με την σπουδαιότητα της ακολουθούμενης διαδικασίας χαρακτηρισμού όσο και για την απόδοση των τρανζίστορ και διόδων που μελετήθηκαν. Γίνονται εμφανείς πολλοί συσχετισμοί μεταξύ των δεικτών απόδοσης των στοιχείων και των γεωμετρικών του διαστάσεων. Oι συσχετισμοί αυτοί είναι πάρα πολύ χρήσιμοι στο μελλοντικό σχεδιασμό νέων στοιχείων. Επιπρόσθετα, γίνονται συγκρίσεις μεταξύ των μετρήσεων των τρανζίστορ και προσομοιώσεων με βάση τη θεωρία του στοιχείου ώστε να κρίνουμε σε τι βαθμό υπάρχει συμφωνία μεταξύ τους. el
ΤύποςΜεταπτυχιακή Διατριβήel
ΤύποςMaster Thesisen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2016-04-18-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2016-
Θεματική ΚατηγορίαΗλεκτρικός χαρακτηρισμόςel
Θεματική ΚατηγορίαΚαρβίδιο του πυριτίουel
Θεματική ΚατηγορίαJFETen
Βιβλιογραφική ΑναφοράKonstantinos Vamvoukakis, "On-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETs", Master Thesis, School of Electronic and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2016en
Βιβλιογραφική ΑναφοράΚωνσταντίνος Βαμβουκάκης, "Χαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs", Μεταπτυχιακή Διατριβή, Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2016el

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά