Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Study of low frequency noise in High Voltage MOS transistor

Fellas Konstantinos

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/E1728BC3-3934-45B8-AFEC-4FCC9F3C9382-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.26233/heallink.tuc.22870-
Γλώσσαen-
Μέγεθος43 pagesen
ΤίτλοςStudy of low frequency noise in High Voltage MOS transistoren
ΔημιουργόςFellas Konstantinosen
ΔημιουργόςΦελλας Κωνσταντινοςel
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasen
Συντελεστής [Επιβλέπων Καθηγητής]Bucher Matthiasel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Balas Costasen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Μπαλας Κωσταςel
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Koutroulis Eftychiosen
Συντελεστής [Μέλος Εξεταστικής Επιτροπής]Κουτρουλης Ευτυχιοςel
ΕκδότηςΠολυτεχνείο Κρήτηςel
ΕκδότηςTechnical University of Creteen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαTechnical University of Crete::School of Electronic and Computer Engineeringen
Ακαδημαϊκή ΜονάδαΠολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστώνel
ΠεριγραφήΔιπλωματική εργασία που παραδώθηκε στην σχολή ΗΜΜΥ Πολυτεχνείου Κρήτης για απόκτηση πτυχίουel
ΠερίληψηHVMOSFETs find many different applications such as switching applications, input-output operations, voltage conversions, RF amplification etc. The effect of drift region on 1/f noise remained unclear until recently due to the difficulty of performing 1/f noise measurements under high drain voltages, on the order of tens of Volt. This is mainly due to the lack of adequate measurement equipment, which usually restricts low frequency noise to be measured up to just a few Volt, usually generated from batteries. A 1/f noise parameter extraction method for high-voltage (HV-)MOSFETs at 3V drain bias is presented in this thesis. In this region the overall noise is mostly dominated by the noise originating in the channel. The bias dependence of flicker noise, related to transconductance-to-current ratio, allows for an easy means to determine related noise parameters. Though measured data is limited, parameters related to carrier number fluctuation effect may be found. 50 V N and P-channel HV-MOSFETs are investigated for long as well as short channel lengths. The parameter extraction method is applied to a recently established 1/f noise model for HV-MOSFETs, showing a good agreement among model and experimental data. en
ΤύποςΔιπλωματική Εργασίαel
ΤύποςDiploma Worken
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2014-10-07-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2014-
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETen
Θεματική Κατηγορίαmetal oxide semiconductor field effect transistorsen
Θεματική Κατηγορίαmosfeten
Βιβλιογραφική ΑναφοράKonstantinos Fellas, "Study of low frequency noise in High Voltage MOS transistor", Diploma Work, School of Electronic and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2014en
Βιβλιογραφική ΑναφοράΚωνσταντίνος Φελλάς, "Study of low frequency noise in High Voltage MOS transistor", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2014el

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά