Ιδρυματικό Αποθετήριο [SANDBOX]
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Προσδιορισμός παραμέτρων συμπαγούς μοντέλου MOSFET για σχεδίαση αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων CMOS ανοικτής πρόσβασης

Vitsios Georgios

Πλήρης Εγγραφή


URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/EF86728B-A589-44E2-9113-83CF1A88FB86
Έτος 2024
Τύπος Διπλωματική Εργασία
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Βιβλιογραφική Αναφορά Γεώργιος Βίτσιος, "Προσδιορισμός παραμέτρων συμπαγούς μοντέλου MOSFET για σχεδίαση αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων CMOS ανοικτής πρόσβασης", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2024 https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.101400
Εμφανίζεται στις Συλλογές

Περίληψη

Η εξέλιξη των ψηφιακών τεχνολογιών είναι ραγδαία τα τελευταία χρόνια. ΄Εχει ενδι-αφέρον ότι παρατηρείται η εμφάνιση χρήσης λογισμικών ανοικτής πρόσβασης (open-source software) αλλά ιδιαίτερα και υλικού («open-source silicon»). H παρούσαδιπλωματική εργασία εντάσσεται στα πλαίσια ανάπτυξης εργαλείων computer-aideddesign (CAD tools) ανοικτής πρόσβασης, με στόχο την υποβοήθεια σχεδίασης αναλο-γικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (integrated circuits, ICs) τεχνολογίας CMOS.Ως βάση χρησιμοποιείται το μοντέλο φορτίων του τρανζίστορ MOS τύπου sEKV.Το εν λόγω μοντέλο καλύπτει όλο το φάσμα από ασθενή έως μέτρια και ισχυρήαναστροφή, με ιδιαίτερη μέριμνα για το φαινόμενο του κορεσμού ταχύτητας (ve-locity saturation), με σκοπό να εξυπηρετήσει τις ανάγκες σχεδίασης αναλογικώνκυκλωμάτων χαμηλής κατανάλωσης. Τα πειραματικά δεδομένα αντλούνται από απο-θετήριο ανοικτής πρόσβασης της IHP, τεχνολογίας τύπου BiCMOS 130nm. Στόχοςείναι η ανάπτυξη μοντέλων ρεύματος DC και διαγωγιμοτήτων AC, καλύπτοντας όλατα μήκη καναλιού και όλο το εύρος θερμοκρασίας από -40 °C έως 125 °C (233 Κέως 398 Κ). Ιδιαίτερη έμφαση δίνεται στο ρεύμα, την διαγωγιμότητα, και τον λόγοδιαγωγιμότητας προς ρεύμα, με έμφαση στον δείκτη αναστροφής (inversion coeffi-cient). Αναπτύσσονται πλήρως τα μοντέλα τόσο για τρανζίστορ τύπου NMOS όσοκαι PMOS σε όλο το φάσμα του μήκους καναλιού (length scaling) και θερμοκρασίας(temperature scaling). Αποτέλεσμα είναι το μοντέλο να μπορέσει να καλύψει αποτε-λεσματικά και με ελάχιστες παραμέτρους, όλο το φάσμα λειτουργίας των τρανζίστορMOS, όπως απαιτείται για την σχεδίαση αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά